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NTHD2102P
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS
4
8
1000
V DD = ?10 V
I D = ?1 A
3
6
V GS = ?4.5 V
Q 1
Q T
Q 2
?V GS
100
t d(off)
t f
2
4
t r
1
?V DS
T J = 25 ° C
I D = ?3.4 A
2
10
t d(on)
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
0
1
0
10
100
5
4
3
2
1
Q g, Total Gate Charge (nC)
Figure 7. Gate?to?Source and
Drain?to?Source Voltage vs. Total Charge
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
50
40
30
20
10
R G , Gate Resistance (Ohms)
Figure 8. Resistive Switching Time Variation
vs. Gate Resistance
10 1
0
0.40
0.50 0.60 0.70
0.80
0.90
1.00
0
10?4
10?3
10 ?2
?1
10
100
600
?V SD , Source?to?Drain Voltage (V)
Figure 9. Diode Forward Voltage vs. Current
http://onsemi.com
4
Time (sec)
Figure 10. Single Pulse Power
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